第两百章：可控核聚变 (3 / 4)
        众人瞩目之下，装置正式启动了，众人看着屏幕上的数据，呼吸都快了几分。

        “低氚开始和等离子体分离了，天呐，太好了，低氚没有滞留，滞留量为原先的万分之一，哈哈，第一步成功了。”

        一个老教授看着屏幕上的数据不禁尖叫起来，他就是负责可控核聚变第一步主要研究人员。

        可控核聚变的难点之一就是氚的利用率低，容易在氘氚反应中滞留，导致氚的数量越来越少，使得离子体熄灭。

        而氚在自然界中根本不存在，人工生产的造价是上亿米元一千克，有价无市。

        所以，想要完成可控核聚变就必须提高氚的滞留程度。

        “第一步成功了，接下来也一定要成功呀！”

        一行人在心中默念道。

        “第一个中子已经产生了，能量为14MEV，开始撞击壁垒了。”

        核聚变中每一次氘氚反应都会产生一个中子，撞击壁垒，一般的材料会在最短的时间内肿胀催化，从而导致反应破灭。

        “磁约束已经发挥作用了，逃逸的等离子体数量比一般的核聚变要少一半，等离子体开始聚集了，不知道这个邬美合金能不能抵抗的住。”

        “核聚变第一壁的温度已经达到1100度了，等离子开始破碎了，温度正在急剧上升，1500度，2500度，3000度了。“说道这，无数人心中再次一紧，这才是最关键的一个环节，只有邬镁合金经受住这个考验，可控核聚变就算完成一半了。

        ”抗住了，邬镁合金抵抗住了3000度的高温了，我们成功了。”

        一个教授一时间显得语无伦次。

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